W3A4ZC562M4T2A — высоковольтный полевой транзистор (MOSFET) с низким сопротивлением открытого канала, предназначен для импульсных источников питания и преобразователей. Корпус TO-220, ток стока 12 А, напряжение сток-исток 650 В.
Устройство отличается улучшенной коммутационной характеристикой и стабильностью при повышенных температурах. Подходит для замены в схемах блоков питания, инверторов и LED-драйверов.
| Бренд | Парт-номер |
|---|---|
| Infineon | IPD65R1K0C6 |
| STMicroelectronics | STF12N65M5 |
| ON Semiconductor | FDP12N65NZ |
| Toshiba | TK12A65W |
* Аналоги подобраны по основным параметрам (Vds, Id, Rds(on)). Перед заменой сверьте цоколёвку и тепловые характеристики.
| Символ(ы) | Значение |
|---|---|
| W3 | Серия: высоковольтный MOSFET, 600–650 В |
| A4 | Технология: SuperJunction, 4-е поколение |
| ZC | Токовый класс: 12 А (при 25 °C) |
| 562 | Условный код сопротивления: Rds(on) ~ 0.56 Ом |
| M4 | Тип корпуса: TO-220 (стандартный) |
| T2 | Упаковка: лента и катушка (Tube), 50 шт. |
| A | Ревизия: улучшенные коммутационные характеристики |
| Параметр | Значение | Примечание |
|---|---|---|
| VDS (макс.) | 650 В | Постоянное напряжение сток-исток |
| ID (постоянный) | 12 А | При Tc = 25 °C |
| RDS(on) (тип.) | 0.56 Ом | При VGS = 10 В |
| VGS(th) (порог.) | 2.5 – 4.5 В | Типовое 3.0 В |
| Qg (затвор) | 28 нКл | Типовое |
| Корпус | TO-220 | 3 вывода |
| Диапазон Tj | -55 … +150 °C | Температура перехода |