Транзистор W3A4YC562M4T2A
W3A4YC562M4T2A — высоковольтный полевой транзистор с низким сопротивлением открытого канала, предназначен для импульсных источников питания и DC/DC-преобразователей. Корпус TO-252 (DPAK), максимальное напряжение сток-исток 650 В, ток стока 12 А.
Устройство характеризуется улучшенными переключательными характеристиками и устойчивостью к лавинному пробою. Подходит для применения в блоках питания, зарядных устройствах и светотехнике.
Аналоги и замена
| Бренд | Парт-номер |
|---|
| Infineon | IPD65R1K0C6 |
| STMicroelectronics | STD12N65M5 |
| ON Semiconductor | FCD12N65 |
| Vishay | IRFB12N65P |
* Аналоги подобраны по ключевым параметрам (650 В, 12 А, TO-252). Перед заменой сверьтесь с документацией.
Расшифровка парт-номера
| Символ(ы) | Значение |
|---|
| W3 | Серия: высоковольтный MOSFET, промышленный диапазон |
| A4 | Напряжение сток-исток 650 В |
| YC | Ток стока 12 А, корпус TO-252 |
| 562 | Код сопротивления открытого канала (Rds(on) ~0.56 Ом) |
| M4 | Технология: Super-Junction, 4-е поколение |
| T2 | Упаковка: лента и катушка, стандартная укладка |
| A | Версия: без галогенов, RoHS |
Расшифровка приведена для партии производителя RSIO.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|
| Тип компонента | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение Vds | 650 В |
| Максимальный ток Id (при 25°C) | 12 А |
| Сопротивление Rds(on) (тип.) | 0.56 Ом |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Технология | Super-Junction Gen4 |
| Рабочая температура | -55 … +150 °C |
| Заряд затвора (Qg) | 22 нКл |
Совет инженера: При замене на аналог обязательно проверьте ёмкость затвора и пороговое напряжение. Для W3A4YC562M4T2A оптимальный драйвер — с напряжением 10–12 В. В цепях с высокой частотой переключения используйте снаббер для снижения выбросов.
Часто задаваемые вопросы
Какая максимальная рассеиваемая мощность?
Максимальная рассеиваемая мощность (при 25°C) составляет 83 Вт. При повышении температуры корпуса мощность необходимо снижать согласно графику derating.
Подходит ли для импульсных блоков питания?
Да, транзистор оптимизирован для импульсных источников питания, особенно для обратноходовых и полумостовых топологий до 150 Вт.
Чем отличается от обычного 650 В MOSFET?
W3A4YC562M4T2A использует технологию Super-Junction, что обеспечивает более низкое сопротивление и меньшие потери переключения по сравнению с традиционными планарными MOSFET.
Какой шаг выводов у корпуса TO-252?
Шаг выводов стандартный — 2.29 мм. Рекомендуемая температура пайки 260°C (до 10 с).
Есть ли встроенный защитный диод?
Да, встроен обратный диод с временем восстановления 120 нс. Для высокочастотных схем рекомендуется внешний диод Шоттки.