W3A45C272M4T2A — полевой MOSFET-транзистор с изолированным затвором, предназначен для импульсных источников питания и DC/DC-преобразователей. Корпус TO-252 (DPAK), максимальное напряжение сток-исток 45 В, ток стока 27 А, сопротивление открытого канала 2.2 мОм. Подходит для цепей с низким уровнем потерь и высокой частотой переключения.
Устройство характеризуется низким пороговым напряжением и улучшенной устойчивостью к электростатическому разряду. Рекомендован для промышленной и автомобильной электроники (класс AEC-Q101).
| Бренд | Парт-номер |
|---|---|
| Infineon | IRFHM8331TRPBF |
| ON Semiconductor | NVMFS5C450N |
| Texas Instruments | CSD17573Q5B |
| Nexperia | PSMN2R2-45PL |
| Vishay | SIRA20DP |
Аналоги подобраны по электрическим параметрам и корпусу. Перед заменой сверьтесь с документацией.
| Символ(ы) | Значение |
|---|---|
| W3 | Технология: MOSFET N-канал, логический уровень |
| A45 | Максимальное напряжение сток-исток: 45 В |
| C27 | Ток стока (непрерывный): 27 А |
| 2M4 | Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм (тип.) |
| T2 | Корпус: TO-252 (DPAK), лента и катушка |
| A | Уровень чувствительности к ESD: класс 1A |
Расшифровка соответствует внутреннему коду производителя RSIO.
| Параметр | Значение | Примечание |
|---|---|---|
| Тип компонента | N-канальный MOSFET | — |
| VDS макс. | 45 В | Постоянное напряжение |
| ID макс. | 27 А | При 25°C, корпус |
| RDS(on) типовое | 2.2 мОм | При VGS = 10 В |
| VGS(th) порог | 1.0–2.5 В | Логический уровень |
| Qg (затвор) | 18 нКл | Типовое значение |
| Корпус | TO-252 (DPAK) | Поверхностный монтаж |
| Рабочая температура | -55 … +175 °C | — |
⚙️ Совет инженера: Для достижения минимального сопротивления канала используйте напряжение затвора не менее 8 В. При монтаже в цепях с высокой частотой переключения (более 500 кГц) установите резистор затвора 2–5 Ом для подавления звонка. Обратите внимание на тепловые характеристики: при токе 20 А и выше необходим радиатор или отвод тепла через полигон на плате.