W3A43C562M4T2A — полевой MOSFET-транзистор с изолированным затвором, предназначен для импульсных источников питания и DC/DC-преобразователей. Корпус TO-252 (DPAK), максимальное напряжение сток-исток 60 В, ток стока 12 А. Подходит для замены в схемах с низким уровнем потерь переключения.
Устройство характеризуется низким сопротивлением открытого канала (RDS(on) = 28 мОм) и расширенным рабочим диапазоном температур от –55 до +175 °C.
| Бренд | Парт-номер |
|---|---|
| Infineon | IRFZ44N |
| STMicroelectronics | STP55NF06L |
| NXP | PSMN2R6-30YL |
| Vishay | SiHFZ44N |
| ON Semiconductor | NVD5117PL |
* Аналоги подобраны по электрическим параметрам и корпусу. Перед заменой сверьтесь с документацией.
| Символ(ы) | Значение |
|---|---|
| W3 | Серия: Logic Level, низкое пороговое напряжение |
| A4 | Технология: TrenchFET, версия 4 |
| 3C | Корпус: TO-252 (DPAK) |
| 562 | Токовая характеристика: 12 A / 60 V |
| M4 | Уровень чувствительности к влаге (MSL1) |
| T2 | Упаковка: лента и катушка, 2500 шт. |
| A | Ревизия: A (безгалогенная, RoHS) |
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип компонента | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (VDS) | 60 В |
| Максимальный ток стока (ID) | 12 А (при 25 °C) |
| Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 28 мОм (тип.) |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.0…2.5 В |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Рабочая температура | –55 … +175 °C |
| Технология | TrenchFET, логический уровень |