W3A43C102M4T2A — полевой MOSFET-транзистор с изолированным затвором, предназначен для импульсных источников питания и DC/DC-преобразователей. Корпус TO-252 (DPAK), максимальное напряжение сток-исток 100 В, ток стока 12 А.
| Бренд | Парт-номер |
|---|---|
| Infineon | IRF520N |
| STMicroelectronics | STP55NF06L |
| ON Semiconductor | NVD5117PL |
| Vishay | SIHP12N50E |
* Перед заменой проверьте электрические параметры и цоколевку.
| Символ(ы) | Значение |
|---|---|
| W3 | Серия: промышленный MOSFET, логический уровень |
| A4 | Напряжение сток-исток: 100 В |
| 3C | Ток стока: 12 А (в корпусе TO-252) |
| 102 | Сопротивление открытого канала: 10 мОм (тип.) |
| M4 | Тип корпуса: DPAK (TO-252) |
| T2 | Упаковка: лента и катушка, 2500 шт. |
| A | Ревизия: улучшенные тепловые характеристики |
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип компонента | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 100 В |
| Макс. ток стока (ID) | 12 А |
| Сопротивление канала (RDS(on)) | 10 мОм (тип.) |
| Пороговое напряжение (VGS(th)) | 1.5…2.5 В |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Рабочая температура | -55 … +175 °C |
💡 Совет инженера
При замене W3A43C102M4T2A на аналоги из таблицы обязательно проверьте напряжение затвора (логический уровень) и тепловое сопротивление корпуса. Для токов выше 8 А рекомендуется дополнительное охлаждение через медный полигон на плате.