Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа, корпус DPAK (TO-252). Предназначен для цепей коммутации средней мощности, DC/DC преобразователей и защиты от обратной полярности.
Парт-номер W2A4YC103M4T4A соответствует спецификации ведущего производителя, полностью взаимозаменяем с рядом популярных аналогов.
| Бренд | Парт-номер |
|---|---|
| Infineon | IRLR8726TRPBF |
| STMicroelectronics | STD35NF06LT4 |
| ON Semiconductor | NVD5117PLT4G |
| Vishay | SIHP35N60E-GE3 |
* Перед заменой проверяйте корпус и электрические параметры.
| Символ(ы) | Значение |
|---|---|
| W2 | Технология: N-канальный MOSFET, логический уровень |
| A4 | Напряжение сток-исток (Vds) 40 В |
| YC | Ток стока 35 А (импульсный до 70 А) |
| 103 | Сопротивление открытого канала Rds(on) 10.3 мОм (тип.) |
| M4 | Корпус DPAK (TO-252), бессвинцовая сборка |
| T4A | Упаковка: лента и катушка, стандартная чувствительность к влаге |
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип компонента | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds) | 40 В |
| Максимальный ток стока (Id) | 35 А (постоянный), 70 А (импульсный) |
| Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 10.3 мОм (тип.) при Vgs=10 В |
| Пороговое напряжение (Vgs(th)) | 1.0 … 2.5 В |
| Корпус | DPAK (TO-252) |
| Рабочая температура | -55 … +175 °C |