TIP120 — это мощный NPN-транзистор Дарлингтона, предназначенный для коммутации нагрузок с высоким током (до 5 А) и напряжением до 60 В. Благодаря высокому коэффициенту усиления (hFE ≥ 1000), транзистор управляется напрямую от микроконтроллеров (3,3/5 В), что делает его стандартным выбором для драйверов двигателей, мощных светодиодов, соленоидов и реле.
Корпус TO-220 обеспечивает хороший теплоотвод при умеренных токах, а встроенный защитный диод (между коллектором и эмиттером) защищает цепь от обратных выбросов индуктивных нагрузок. Однако этот диод не рассчитан на высокие обратные токи — для мощных индукторов требуется внешний диод.
| Бренд / Производитель | Парт-номер аналога |
|---|---|
| STMicroelectronics | TIP120 (оригинал, прямой аналог) |
| ON Semiconductor | TIP120G |
| Fairchild (onsemi) | TIP120 |
| NTE Electronics | NTE261 |
| Central Semiconductor | TIP120 |
| Multicomp Pro | TIP120 |
| ISC (Inchange Semiconductor) | TIP120 |
Примечание: аналоги имеют идентичную распиновку (база-коллектор-эмиттер) и близкие электрические параметры. Перед заменой убедитесь в соответствии тока и напряжения в вашей схеме.
| Символы | Значение |
|---|---|
| TIP | Texas Instruments Plastic power transistor (изначально серия TIP — пластиковый корпус TO-220). Позже стандарт де-факто для многих производителей. |
| 1 | Показатель напряжения: обычно для TIP1xx — ≤ 60 В (коллектор-эмиттер). Для TIP120 типовое значение VCEO = 60 В. |
| 2 | Указывает на структуру и коэффициент усиления: транзистор Дарлингтона, NPN тип (серия TIP11x, TIP12x). Цифра 2 часто обозначает средний диапазон hFE в линейке. |
| 0 | Индекс модификации / ток корпуса. Для TIP120 максимальный ток коллектора 5 А (постоянный). |
Серия TIP120 (TIP120, TIP121, TIP122) различается максимальным напряжением: TIP120 → 60 В, TIP121 → 80 В, TIP122 → 100 В. Все три совместимы по цоколёвке.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | NPN Дарлингтона |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 60 В |
| Макс. напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 В |
| Макс. постоянный ток коллектора (IC) | 5 А |
| Пиковый ток коллектора (IC peak) | 8 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 65 Вт (при Ткорпуса = 25°C) |
| Коэффициент усиления hFE (мин) | 1000 (при IC = 3 А) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | тип. 2.0 В при IC = 3 А, IB = 12 мА |
| Температура перехода (Tj) | −65°C … +150°C |
| Корпус | TO-220 (пластик) |
При использовании TIP120 для коммутации индуктивных нагрузок (реле, соленоиды, двигатели) НЕ полагайтесь только на встроенный диод между коллектором и эмиттером — он защищает переход, но может не справиться с энергией мощного индуктора. Всегда добавляйте внешний быстрый диод (например, 1N4007 для малых токов, 1N540x или диод Шоттки) параллельно нагрузке, катодом к плюсу питания. Это спасет транзистор от пробоя обратным выбросом. Также для токов выше 3 А используйте радиатор площадью не менее 10–15 см².