BAS16 — это малосигнальный высокоскоростной переключательный диод в корпусе SOT-23. Широко применяется в цепях высокоскоростного переключения, защите входов, логических интерфейсах и схемах с ограничением амплитуды. Благодаря малому времени обратного восстановления (типично 4 нс) обеспечивает надёжную работу на частотах до нескольких сотен мегагерц.
Компонент отличается низкой ёмкостью перехода (<2 пФ) и прямым током до 200 мА, что делает его популярным выбором в импульсных и ВЧ-модулях. Прямое падение напряжения — до 1.25 В при токе 100 мА, максимальное обратное напряжение — 75 В.
| Бренд / Производитель | Парт-номер аналога |
|---|---|
| Nexperia | BAS16 (215 / 235) |
| Diodes Incorporated | BAS16-7-F |
| ON Semiconductor | BAS16LT1G |
| Infineon | BAS16 E6327 |
| Micro Commercial Components | BAS16-TP |
| Vishay | BAS16-HE3 |
| Rohm Semiconductor | BAS16HYT116 |
* Все аналоги имеют электрические параметры, совместимые с BAS16: максимальное обратное напряжение 75–85 В, прямой ток до 200-250 мА, время восстановления ≤ 6 нс, корпус SOT-23. Перед заменой проверяйте цоколёвку.
| Символ(ы) | Значение |
|---|---|
| BA | Серия: высокоскоростные переключательные диоды (серия BA по стандарту Pro Electron) |
| S | Тип корпуса — SOT-23 (пластиковый миниатюрный SMD) |
| 16 | Номер модели внутри серии: спецификация с напряжением 75 В, малым током и сверхбыстрым восстановлением |
| Полное обозначение | BAS16 однозначно идентифицирует кремниевый эпитаксиальный диод, обычно с маркировкой «A6» или «J6» на корпусе. |
| Параметр | Значение | Примечание |
|---|---|---|
| Максимальное обратное напряжение (VR) | 75 В | – |
| Максимальный прямой ток (IF) | 200 мА | постоянный |
| Повторяющийся пиковый прямой ток (IFRM) | 450 мА | – |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | 250 мВт (при TA=25°C) | – |
| Прямое напряжение (VF) | ≤1.25 В (IF=100 мА) | типовое 0.855 В |
| Обратный ток (IR) | ≤1 мкА (VR=75 В) | – |
| Время обратного восстановления (trr) | ≤6 нс (тип. 4 нс) | IF=10 мА, VR=6 В, RL=100 Ом |
| Ёмкость перехода (CD) | ≤2 пФ | VR=0, f=1 МГц |
| Температура перехода (Tj) | −65°C … +150°C | – |
| Корпус | SOT-23 (TO-236AB) | 3 вывода, масса ~8 мг |
При использовании диода BAS16 в схемах с быстрыми фронтами (драйверы MOSFET, логические преобразователи) всегда добавляйте последовательный резистор 22–100 Ом для ограничения пикового тока. Это предотвращает деградацию pn-перехода и сохраняет заявленное время восстановления. Также учитывайте, что обратное напряжение выше 60 В может привести к лавинному пробою — не превышайте VR=75 В даже в импульсных режимах. Для защиты от статического электричества используйте стандартные ESD-меры при монтаже SOT-23.
Информация основана на официальных даташитах Nexperia, ON Semiconductor и Diodes Inc. Перед массовым применением рекомендуется тестирование в целевом узле.