2N3906 — маломощный кремниевый PNP-транзистор, широко применяемый в схемах переключения, линейных усилителях и инверторах. Корпус TO-92, максимальный ток коллектора -200 мА, напряжение коллектор-эмиттер VCEO = -40 В. Идеален для коммутации нагрузок малой и средней мощности, драйверов светодиодов и звуковых предусилителей.
Транзистор характеризуется высокой скоростью переключения (fT ~ 250 МГц) и низким напряжением насыщения, что делает его универсальным выбором для массовой радиоэлектроники. В этой статье приведены проверенные аналоги, расшифровка маркировки и технические параметры.
| Бренд / Производитель | Парт-номер аналога |
|---|---|
| ON Semiconductor | 2N3906 |
| STMicroelectronics | 2N3906 |
| Central Semiconductor | 2N3906 |
| Multicomp Pro | 2N3906 |
| NTE Electronics | NTE159 |
| Microchip (Micrel) | MMBT3906 (SMD) |
| ROHM | 2SA1037 |
| Fairchild / onsemi | KST3906 (SOT-23) |
* Прямые аналоги: 2N3906 разных брендов, SMD-версии MMBT3906, KST3906, а также близкие по параметрам 2SA1037, NTE159.
| Символ / часть | Значение |
|---|---|
| 2N | Двухвыводной полупроводниковый прибор — стандарт JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council). Префикс 2N означает «дискретный транзистор общего назначения». |
| 3 | Третья цифра серии — обозначает PNP-структуру (в системе JEDEC) и принадлежность к семейству маломощных логических транзисторов. |
| 9 | Указывает на кремниевый материал и диапазон тока коллектора до 200 мА. |
| 06 | Порядковый номер разработки в серии. Для 2N3906 это высокочастотный PNP-транзистор, дополняющий NPN-модель 2N3904. |
Корпус TO-92, цоколёвка (слева направо, плоской стороной к себе): эмиттер (E) — база (B) — коллектор (C).
| Параметр (условия) | Значение | Единица |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | -40 | В |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | -40 | В |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5 | В |
| Ток коллектора (IC), max | -200 | мА |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) @ Ta=25°C | 625 | мВт |
| Статический коэффициент передачи тока hFE (IC=-10 мА, VCE=-1 В) | 100 … 300 | — |
| Граничная частота fT (IC=-10 мА, VCE=-20 В) | 250 (тип.) | МГц |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) (IC=-50 мА, IB=-5 мА) | -0.25 (тип.) / -0.4 max | В |
| Рабочая температура перехода (TJ) | -55 … +150 | °C |
Все значения приведены для транзистора 2N3906 в корпусе TO-92. Допустимы незначительные вариации между партиями разных производителей.
🔧 При замене 2N3906 в ключевых схемах с частотами выше 50 МГц обращайте внимание на ёмкость перехода и время хранения. Оригинальный 2N3906 имеет fT ~ 250 МГц, поэтому для ВЧ-генераторов используйте только аутентичные компоненты от ON Semi или Central Semi. Для простых инверторов подойдет MMBT3906 в SOT-23, но проверяйте максимальную мощность — у SMD-версии она ниже (≈225 мВт). Обязательно контролируйте ток базы, чтобы не превысить IB (макс. -50 мА).